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三星电子将开设新研发中心 负责更先进NAND闪存产品开发
三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进 NAND 闪存产品的开发。当前
2022-08-18 10:09
存储巨头展开200层NAND闪存产品研发竞赛 全球闪存资本支出再创新高
近日，半导体市场研究机构 IC Insights 发布报告，随着各大存储巨头展开 200 层 NAND 闪存产品的研发竞赛，全球闪存资本支出再创新
三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进 NAND 闪存产品的开发。当前
近日，半导体市场研究机构 IC Insights 发布报告，随着各大存储巨头展开 200 层 NAND 闪存产品的研发竞赛，全球闪存资本支出再创新
